SUD50P08-26-E3
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
SUD50P08-26-E3 datasheet
-
МаркировкаSUD50P08-26-E3
-
ПроизводительSiliconix
-
ОписаниеSiliconix SUD50P08-26-E3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: - 80 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 12.9 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.026 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 175 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TO-252 Fall Time: 65 ns Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 8.3 W Rise Time: 50 ns Factory Pack Quantity: 2000 Typical Turn-Off Delay Time: 90 ns
-
Количество страниц7 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
28.05.2024
27.05.2024
26.05.2024