2SJ01640RA

2SJ01640RA

Сообщить об ошибке

Маркировка

2SJ01640RA

Описание

JFET P-CH 65V 20MA NS-B1

Производитель

Panasonic - SSG

Сообщить об ошибке

Характеристики 2SJ01640RA

Производитель

Panasonic - SSG
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

600µA @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)

-
Current Drain (Id) - Max

20mA
FET Type

P-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)

-
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id

1.5V @ 10µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds

10pF @ 10V
Resistance - RDS(On)

300 Ohm
Тип монтажа

Through Hole
Упаковка

Tape & Box (TB)
Исполнение / Корпус

NS-B1
Power - Max

300mW
Supplier Device Package

Полная характеристикаСкрыть

Новости электроники

<p>Новые технологии для ST микроконтроллера, опыт изготовителя и эффективность архитектуры STM32 дали возможность обеспечить отличный результат. Срок службы батареи составляет более чем 15 лет, также появились новые возможности по энергосбережению.</p>

Беспроводные MCU ST — оптимальное решение для эффективного промышленного мониторинга

25.05.2024

<p>TrendForce сообщает об очередных изменениях на рынке флэш-памяти NAND. В том числе на него повлияло сокращение производства, предусмотренное стратегией компании Samsung. У многих пользователей были определенные опасения, ситуацию усложняла неопределенность, приводящая к медленным закупкам, при этом количество запасов сократилось.</p>

По мнению TrendForce ожидается очередной рост выручки от продаж флэш-памяти NAND

24.05.2024

<p>Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.</p>

Infineon представляет усовершенствованный SiC MOSFET для повышения энергоэффективности

22.05.2024

Еще новости

Всё для радиолюбителя - Схемы цифровых и аналоговых устройств, статьи, журналы и книги, софт. Форум.

Всё для радиолюбителя

Схемы цифровых и аналоговых устройств, статьи, журналы и книги, софт. Форум.

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.